Seramika tayanch PCB - bu keramika materiallarini asos sifatida ishlatadigan va sirtda metall o'tkazuvchan qatlam (odatda mis yoki alyuminiy) bilan qoplangan bosilgan elektron plataning maxsus turi. Ular asosan yuqori{1}}quvvat va yuqori-chastotali elektron komponentlarni qo‘llab-quvvatlash uchun ishlatiladi. Keramikaning mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi, elektr izolyatsiyasi va yuqori{4}}haroratga chidamliligini metall qatlamning yaxshi elektr o'tkazuvchanligi bilan birlashtirgan holda, keramik tagliklar yangi energiya vositalari, fotovoltaik invertorlar, 5G tayanch stansiyalari va yuqori-{7}}} kabi yuqori darajadagi elektron uskunalarning asosiy komponentlariga aylandi.
Keramika tagliklarining turlarini ikkita asosiy nuqtai nazardan tasniflash mumkin: materiallar va ishlab chiqarish jarayonlari.
| Belgilovchi | Kod | Qism raqami | Ishlab chiqaruvchi | Miqdori | |||
| C1, C4, C20, C182, C191 | NP0-0402-50 V-100 pF±5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104 | X5R-0402-50 V-220 nF+-10 % | 8 | 400 | ||||
| C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190 | X7R-0402-50 V-100 nF+-10 % | 70 | 3500 | 7000 | |||
| C5, C9, C10, C91 | X7R-0402-50 V-1 nF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C21, C22, C23 | X7R-0402-25 V-1 µF+-10 % | GRM155R61E105KA12D | 3 | 450 | 300 | ||
| C29, C42 | X7R-0402-50 V-220 pF+-10 % | 2 | 300 | 800 | 200 | ||
| C32, C33, C35, C36 | X5R-0201-10 V-100 nF+-10% | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C38, C39, C40, C41, C46, C56 | X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C43, C44, C45, C63 | X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C48, C49, C50, C67 | X5R-0603-10 V-22 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C57, C58, C59, C167 | NP0-0402-50 V-22 pF±5 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183 | X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 % | 9 | 450 | 900 | |||
| C72, C73, C74, C172, C175 | X7R-0402-50 V-10 nF+-10 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C75, C76, C77, C78 | X7R-1206-50 V-10 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C81, C90 | X7R-0402-50 V-22 nF+-10 % | 2 | 300 | 200 | |||
| C82, C83, C163, C164, C178, C179 | X6S-0402-16 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C85 | X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C86 | NP0-0603-50 V-47 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C87, C88, C89 | X7R-1210-10 V-47 µF+-10 % | 3 | 150 | 300 | |||
| C105, C106, C109, C111, C149, C150 | NP0-0402-50 V-33 pF±5 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180 | X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 % | 26 | 1300 | 2600 | |||
| C147 | 10TPB220M | Panasonic | 1 | 100 | |||
| C148 | X5R-1210-16 V-100 µF±20 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C151 | X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C174 | X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C176, C177 | EEEFK1H470XP | Panasonic | 2 | 200 | |||
| C192 | NP0-0402-50 V-220 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| DA1, DA2, DA3 | SGM2576YN5G/TR | SGMicro | 3 | 300 | |||
| DA4, DA5, DA6, DA10 | SY98003AQNC | Silergiya | 4 | 400 | |||
| DA7, DA8 | LD39050PUR | STMikroelektronika | 2 | 200 | |||
| DA9 | MPQ4316GRE-AEC1 | MPS | 1 | 100 | |||
| DA11 | LM74800QDRRRQ1 | Texas asboblari | 1 | 100 | |||
| DA12 | SY8089AAC | Silergiya | 1 | 100 | |||
| DA13 | LP5907MFX-1.2/NOPB | Texas asboblari | 1 | 100 | |||
| DD1 | 2N7001TDPWR | Texas asboblari | 1 | 100 | |||
| DD2 | FUSB302BMPX | Onsemi | 1 | 100 | |||
| DD3 | MCP2542FDT-H/MF | Mikrochip texnologiyasi | 1 | 100 | |||
| DD4 | XS9922B | Chipup | 1 | 100 | |||
| DD6 | MS1836S | Makrosilikon | 1 | 100 | |||
| DD7 | PCA9617ADPJ | Nexperia | 1 | 100 | |||
| FB1, FB14 | BLM18PG121SN1D | Murata | 2 | 100 | 200 | ||
| FB2, FB3 | BLM18KG121TN1 | Murata | 2 | 100 | 200 | ||
| FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10 | BLM18EG601SN1D | Murata | 7 | 350 | 700 | ||
| FB11 | FBMH1608HM101-T | Taiyo | 1 | 50 | 100 | ||
| L1 | SPM5030T-4R7M-HZ | Vishay | 1 | 50 | 100 | ||
| L2 | LQM2HPN2R2MGSL | Murata | 1 | 50 | 100 | ||
| MP1, MP2, MP3, MP4 | 9774020633R | BIZ | 4 | 400 | |||
| MP5, MP6, MP7, MP8 | 9774050243R | BIZ | 4 | 400 | |||
| R1, R3, R26, R126 | 0402-100 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224 | 0402-0 Ω+-5 % | 41 | 2050 | 4100 | |||
| R7 | 0402-12 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109 | 0402-1 kΩ+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R9 | 0603-1 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R10, R179, R180, R181 | 0603-1,5 kΩ+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227 | 0402-10 kΩ+-1 % | 14 | 700 | 1400 | |||
| R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131 | 0402-100 kΩ+-1 % | 17 | 850 | 1700 | |||
| R25, R59, R90, R108, R123 | 0402-20 kΩ+-1% | 5 | 250 | 500 | |||
| R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35 | 0402-590 Ω+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R29 | 0402-27 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R39, R40 | 0402-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R41, R42, R43 | 0402-47 kΩ+-1 % | 3 | 450 | 300 | |||
| R44 | 0402-1,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R45 | 0603-120 Ω+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R49 | 0402-8,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R52, R94, R95, R113, R120 | 0603-0 Ω+-5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| R56, R57 | 0603-5,1 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R60, R63, R64, R65 | 0402-2,2 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R67, R82, R91, R124 | 0402-2,2 kΩ+-1% | 4 | 200 | 400 | |||
| R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132 | 0402-100 kΩ+-5 % | 11 | 550 | 1100 | |||
| R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230 | 0402-4,7 kΩ+-1 % | 21 | 1050 | 2100 | |||
| R87 | 0402-31,6 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R89 | 0402-120 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R96 | 0402-4,3 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R97 | 0402-75 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R98 | 0402-51 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R100, R102 | 0402-39 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R101 | 0402-15 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R103 | 0402-30 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R110 | 0402-330 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R115, R116 | 0603-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R119, R147 | 0402-75 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R135, R136 | 0402-0 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R148 | 0402-10 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R152 | 0402-22 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R154 | 0402-1 MΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R160 | 0402-4,02 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R169, R170 | 0805-0,033 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R182 | 0402-1 kΩ+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| SB1, SB2 | B3U-3000P | Omron | 2 | 200 | |||
| VD1, VD17 | ESD5Z2.5T1G | ON yarimo'tkazgich | 2 | 200 | |||
| VD2 | SMBJ40CA-TR | STMikroelektronika | 1 | 100 | |||
| VD3, VD10, VD19 | GNL-0603GC | G-ham | 3 | 300 | |||
| VD4, VD18 | GNL-0603EC | G-ham | 2 | 200 | |||
| VD5, VD8 | MBR0540 | Hottech | 2 | 200 | |||
| VD6, VD7, VD12, VD13 | ESD73034D | Tech Public | 4 | 400 | |||
| VD9 | SMF05C.TCT | Semtech | 1 | 100 | |||
| VD14, VD16, VD21 | PRTR5V0U2AX, 215 | Nexperia | 3 | 300 | |||
| VD20 | GNL-0603UYOC | G-ham | 1 | 100 | |||
| VT1, VT3, VT4, VT5, VT7 | 2N7002DW | Hottech | 5 | 500 | |||
| VT2, VT6 | WNM6002-3/TR | Willsemi | 2 | 200 | |||
| VT8, VT9 | WMQ30N06TS | Wayon | 2 | ||||
| VT10 | IRLML2502 | UMW | 1 | 100 | |||
| XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15 | SM03B-SRSS-TB | JST | 9 | 900 | |||
| XP5, XP11 | SM04B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XP6, XP10 | SM05B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XP8, XP9 | SM06B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XS2, XS3, XS4, XS5 | AXK5F80547YG | Panasonic | 4 | 400 | |||
| XS6 | 10118241-001RLF | Amfenol | 1 | 100 | |||
| XS8, XS9 | 1054500101 | Molex | 2 | 200 | |||
| XS11 | 1759503-1 | TE ulanishi | 1 | 100 | |||
| XS12 | 5034802400 | Molex | 1 | 100 | |||
| XS13 | 245804030000829+ | Kyocera AVX | 1 | 100 | |||
| ZQ1, ZQ2 | X322527MOB4SI | YXC | 2 | 200 |
Seramika materiali bo'yicha tasniflash
Bu eng asosiy tasniflash usuli hisoblanadi, chunki turli materiallar substratning asosiy ishlash xususiyatlarini aniqlaydi.
Alumina (Al₂O₃) substratlari
Hozirgi vaqtda elektron sanoatida eng ko'p ishlatiladigan keramik substrat materiali. Ular mukammal umumiy ishlash, yuqori mexanik kuch, yaxshi kimyoviy barqarorlik, mo'l-ko'l xom ashyo va nisbatan arzon narxlarni taklif qiladi. Ular mikroelektronika, quvvat elektronikasi va gibrid mikroelektronikada keng qo'llaniladi.
Alyuminiy nitridi (AlN) substratlari
O'ta yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi (odatda 170 Vt/(m·K) dan katta yoki unga teng) va kremniy chiplariga mos keladigan issiqlik kengayish koeffitsienti bilan ajralib turadi, bu ularni yuqori samarali issiqlik boshqaruvi ilovalari uchun ideal tanlovga aylantiradi. Biroq, ular juda yuqori material tozaligi va qat'iy jarayon nazoratini talab qiladi.
Silikon nitridi (Si₃N₄) substratlari
Garchi manba materialida batafsil tushuntirishsiz eslatib o'tilgan bo'lsa-da, ular odatda mukammal mexanik kuch va termal zarba qarshiligi bilan mashhur bo'lib, ularni yuqori ishonchlilik talablari bo'lgan ilovalar uchun mos qiladi.
Beriliy oksidi (BeO) substratlari
Metall alyuminiydan ham yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega, ammo materialning toksikligi tufayli ularni qo'llash qat'iy cheklangan.
Ishlab chiqarish jarayoni bo'yicha tasniflash
Turli ishlab chiqarish jarayonlari substratning tuzilishini, ishlashini va narxini aniqlaydi va mahsulot turlarini farqlashning asosiy omillari hisoblanadi.
HTCC (Yuqori-Temperaturali-Olovli keramika)
1300–1600 daraja yuqori haroratlarda sinterlangan, oʻtkazgich sifatida volfram va molibden kabi yuqori{2}}erish nuqtasi- metallardan foydalangan. Jarayon etuk, ammo xarajat nisbatan yuqori va metall qatlamlarning elektr o'tkazuvchanligi nisbatan past.
01
LTCC (past-haroratli-olovli keramika)
Kumush, oltin va mis kabi elektr o'tkazuvchanligi yaxshiroq bo'lgan metallardan foydalanishga imkon beruvchi 850–900 daraja sinterlangan. U murakkab ko'p qatlamli tuzilmalarni amalga oshirishi mumkin va yuqori-chastotali va yuqori darajada integratsiyalashgan modullarga mos keladi.
02
DBC (to'g'ridan-to'g'ri bog'langan mis)
Mis folga yuqori haroratli evtektik jarayon orqali to'g'ridan-to'g'ri keramik taglikka yopishtiriladi. U past issiqlikka chidamlilik, yuqori tok oʻtkazuvchanlik-va yuqori ishonchlilik bilan ajralib turadi, bu esa uni bugungi kunda yuqori quvvatli qurilmalar uchun-eng asosiy keramik substratlardan biriga aylantiradi.
03
DPC (to'g'ridan-to'g'ri qoplangan mis)
Sxema naqshlarini hosil qilish uchun misni keramik taglik yuzasiga to'g'ridan-to'g'ri elektroplatlash uchun nozik-plenka jarayoni texnologiyasidan foydalanadi. U yuqori aniqlik va nozik chiziq kengligini ta'minlaydi va so'nggi yillarda tez rivojlanib, keng qo'llaniladigan texnologiyaga aylandi.
04
LAM (lazer bilan faollashtirilgan metallizatsiya)
Keramika yuzasida nozik metall konturlar hosil qilish uchun lazer texnologiyasidan foydalanadi, bu esa uni yuqori aniqlikdagi va miniatyuralashtirilgan qurilmalar uchun mos qiladi.
05
Seramika bazasi PCB quyidagi asosiy xususiyatlarga ega:
Xususiyat
Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi
Seramika tagliklari nisbatan yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega. Masalan, alumina keramik substratning issiqlik o'tkazuvchanligi 25-35 Vt / (m · K), alyuminiy nitridili keramik substrat esa 170-230 Vt / (m · K) ga yetishi mumkin. Bu yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi keramik tagliklarga mukammal issiqlik tarqalish ko'rsatkichlarini beradi, bu ularni ayniqsa yuqori quvvatli elektron qurilmalar uchun mos qiladi.
Yuqori mexanik kuch va barqarorlik
Seramika substratlar yuqori kuch va qattiqlikka ega va og'ir muhitda barqarorlikni saqlab turishi mumkin. Ularning termal kengayish koeffitsienti kremniyga yaqin, bu esa quvvat modullarini ishlab chiqarish jarayonini soddalashtiradi. Bunga qo'shimcha ravishda, keramik substratlar qattiq harorat o'zgarishlarida yaxshi ishlaydi va ishonchli termal aylanish ko'rsatkichlarini namoyish etadi, tsikllar soni 50 000 ga etadi.
Zo'r izolyatsiya ishlashi
Seramika tagliklari mukammal izolyatsiya ko'rsatkichlarini namoyish etadi va yuqori dielektrik kuch talab qiladigan ilovalar uchun javob beradi. Ular past dielektrik o'tkazuvchanligi va yaxshi yuqori{1}}chastota xususiyatlariga ega, bu ularni yuqori chastotali zanjirlar uchun juda mos keladi.
Ajoyib kimyoviy barqarorlik
Seramika substratlar ajoyib kimyoviy barqarorlikka ega va yuqori haroratli oksidlovchi yoki korroziyali muhitlarda yuqori-ish faoliyatini saqlab turishi mumkin. Ular osonlikcha korroziyaga uchramaydi.
Tuzilishi
Seramika taglikning asosiy tuzilishi odatda keramik taglik materialidan, metall qatlamdan va yopishtiruvchi qatlamdan iborat. Xususan, keramik taglik mis folga yuqori haroratlarda alumina (Al₂O₃) yoki alyuminiy nitridi (AlN) keramik substrat yuzasiga to'g'ridan-to'g'ri bog'langan maxsus qayta ishlangan taxtaga ishora qiladi. Ushbu ultra yupqa kompozit substrat mukammal elektr izolyatsiyasi, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, yuqori lehim qobiliyati va kuchli yopishish xususiyatiga ega. Bundan tashqari, uni an'anaviy PCB kabi turli xil naqshlarga yopishtirish mumkin va yuqori tok o'tkazuvchanligi-ta'minlanadi.
Har xil turdagi keramik substratlarning batafsil tuzilmalari
Yuqori-haroratli{1}}Olovli keramika (HTCC)
Ushbu turdagi substratning ishlab chiqarish qiymati nisbatan yuqori bo'lib, uning issiqlik o'tkazuvchanligi odatda seramika kukunining tarkibi va tozaligiga qarab 20 dan 200 Vt / (m · K) gacha.
01
Past-haroratli ko-olovli keramika (LTCC)
Alumina kukuniga quyi{0}}erish nuqtasi-boʻlgan shisha materiallar qoʻshiladi, bu esa oltin va kumush kabi yuqori oʻtkazuvchan metallardan elektrod va simli materiallar sifatida foydalanish imkonini beradi.
02
Qalin{0}}Plm bosilgan keramik substrat (TPC)
Ushbu turdagi substrat ekranli chop etish-yordamida ishlab chiqariladi va oddiy ishlab chiqarish jarayoniga ega. Avtomatik elektron modullar kabi kontaktlarning zanglashiga olib keladigan aniqligi past bo'lgan elektron qurilmalarni qadoqlash uchun javob beradi.
03
To'g'ridan-to'g'ri bog'langan mis (DBC) keramik substrat
Yuqori harorat sharoitida mis folga va keramika tagligi evtektik bog'lanish jarayoni orqali mustahkam bog'lanadi, bu esa yuqori bog'lanish kuchi va mukammal issiqlik o'tkazuvchanligini ta'minlaydi. Izolyatsiya qilingan eshikli bipolyar tranzistorlar (IGBT) va lazer komponentlari kabi qurilmalarda issiqlik tarqalishi uchun keng qo'llaniladi.
04
Faol metall lehimlash (AMB) keramik substrat
Ushbu turdagi substrat faol yoki noyob tuproq elementlarini o'z ichiga olgan lehim orqali keramik taglik va mis folga o'rtasida bog'lanishga erishadi. U yuqori biriktirish kuchi va ishonchliligini taklif etadi va yuqori-zichlikdagi qadoqlash ilovalari uchun javob beradi.
05
Ilova
1. Elektronika sohasida seramika substratlar integral mikrosxemalar, quvvat modullari va RF qurilmalari kabi elektron komponentlar uchun ideal tashuvchilardir. Yuqori kuch, yuqori qattiqlik, yuqori aşınma qarshilik, mukammal izolyatsiyalash ko'rsatkichlari va termal barqarorlik bilan ular barqaror ishlashni va elektron qurilmalarda samarali signal uzatilishini ta'minlaydi. Keramika tagliklarini qo'llash, lekin ular bilan cheklanmagan holda, yuqori{3}}quvvatli yarimo'tkazgich modullari, quvvatni boshqarish sxemalari, yuqori-chastotali kommutatsiya quvvat manbalari, qattiq holat-relelari, avtomobil elektronikasi, aerokosmik va harbiy elektron komponentlar va quyosh panellari majmualarini o'z ichiga oladi.
2. Aloqa sohasida keramik substratlar mikroto'lqinli filtrlar, antennalar, quvvat ajratgichlar, ulash moslamalari va izolyatorlar kabi komponentlarga tayyorlanishi mumkin. Ushbu komponentlar mukammal mexanik kuch va issiqlik o'tkazuvchanligini ta'minlovchi aloqa tizimlarida hal qiluvchi rol o'ynaydi.
3. Optika sohasida keramik tagliklar lazerlar uchun asos sifatida ishlatiladi, yaxshi issiqlik o'tkazuvchanligi va mexanik kuchini ta'minlaydi. Ular, shuningdek, tolali optik aloqa uchun turli komponentlar, masalan, to'lqin uzunligini bo'lish multipleksorlari va polarizatsiya kontrollerlari-ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
4. Tibbiyot sohasida keramik substratlar yuqori darajadagi tibbiy asboblarda, jumladan, biotibbiyot sensorlari va sun'iy organlarda mukammal biomoslashuvi va kimyoviy barqarorligi tufayli keng qo'llaniladi. Misol uchun, keramik substratlar sun'iy bo'g'inlar va stomatologik tiklash materiallarini ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin, bu yaxshi biomoslashuv va estetik xususiyatlarni taklif qiladi.
5. Aerokosmik sohada seramika substratlar dvigatel komponentlarini, termal to'siq qoplamalarini, yonish kamerasining qoplamalarini va kosmik kema qismlarini ishlab chiqarish uchun ishlatiladi. Yuqori quvvat, radiatsiya qarshiligi va yuqori haroratga chidamliligi bilan ular ekstremal muhitlarda ishonchli qo'llab-quvvatlashni ta'minlaydi, yuqori-tezlik, yuqori{4}}harorat va yuqori-radiatsiya sharoitida barqaror tizim ishlashini ta'minlaydi.
6. Kompaniyamizning seramika substrat mahsulotlari ko'p qatlamli keramik PCB va 5G PCB antennalarini o'z ichiga oladi.
Moslashtirilgan mahsulot
Mahsulotlarimizning aksariyati mijozlarimiz tomonidan taqdim etilgan asl Gerber fayllari asosida tayyorlangan.
Asl Gerber fayllarini olgandan so'ng, biz ularni ishlab chiqarish uchun ishlaydigan Gerber fayllariga aylantiramiz.
Ushbu konvertatsiya jarayonida ishlab chiqarishni optimallashtirish va silliq ishlab chiqarishni taʼminlash uchun-teshik diametri, iz kengligi va iz oraligʻi- kabi maʼlum parametrlarni sozlaymiz.
Paket va kafolat
Barcha mahsulotlarimiz vakuum{0}}saqlash va tashish vaqtida optimal himoyani taʼminlash uchun qurituvchi bilan oʻralgan.
Vakuumli{0}}qadoqlangan elektron platalarning yaroqlilik muddati sirtni qayta ishlash jarayoniga qarab farq qiladi, odatda 3 oydan 12 oygacha. Tafsilotlar quyidagicha:
Turli sirt ishlov berish jarayonlari uchun saqlash muddati
ENIG (elektrsiz nikel immersion oltin)
Quritishdan himoyalangan vakuumli qadoqda 12 oygacha saqlanishi mumkin.
Qoʻrgʻoshin{0}}bepul HASL (Issiq havoda lehim tekislash)
Saqlash uchun maxsus sozlashlar amalga oshirilmaganda, saqlash muddati odatda taxminan 3 oyni tashkil qiladi.
OSP (organik lehimga chidamlilik saqlovchi)
Quritishdan himoyalangan vakuumli qadoqlash ostida 3-6 oy saqlash muddati bor. Biroq, agar noto'g'ri saqlangan bo'lsa (masalan, qurituvchisiz yoki vakuumli muhrlanmagan holda), saqlash muddati taxminan 3 oygacha qisqarishi mumkin.
Immersion oltin (kimyoviy oltin qoplama)
Yaroqlilik muddati muhrlangan qadoqlash va quritgichdan foydalanish sharti bilan 6-12 oygacha yetishi mumkin.
Kompaniyaning afzalligi
1. Biz mijozlarning barcha so'rovlari va shikoyatlariga 24 soat ichida javob berishni kafolatlaymiz.
2. Fabrikamız 2 qavatli taxtalar uchun 1-kunlik namuna ishlab chiqarishni taklif qiladi va kichik va o'rta buyurtmalar uchun tezkor ishlab chiqarish xizmatlarini taqdim etadi, qisqa muddat va o'z vaqtida yetkazib berishni ta'minlaydi.
3. Biz PayPal, T/T va boshqa qulay usullar orqali EUR, USD, RUB va CNY kabi bir nechta toʻlov imkoniyatlarini qoʻllab-quvvatlaymiz.
Issiq teglar: seramika bazasi pcb, Xitoy keramika bazasi pcb ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilari

